脉冲电沉积制备InSb/Sb超晶格纳米线阵列
Fabrication of InSb/Sb superlattice nanowires array by pulsed electrodeposition
摘要 采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60 nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列,并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试.高度有序的Insb/Sb超晶格纳米线长度约为40μm,其长径比超过600.实验中,通过改变沉积电压与时间达到了对超晶格纳米线组分与结构的控制,纳米线阵列中In与Sb的原子质量比接近于1/2,在每个周期中,InSb的厚度为12 nm,Sb的厚度为20 nm.超晶格纳米线生长过程的研究表明:温度、电压等工艺参数对超晶格纳米线的生长有着重要影响,在沉积过程中,Sb的沉积速率要大于InSb的沉积速率.
Author: YANG Youwen CHEN Yanbiao WU Yucheng XIE Ting LIU Fei
作者单位: 合肥工业大学化学工程学院,安徽,合肥,230009 合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009 合肥工业大学机械与汽车工程学院,安徽,合肥,230009
刊 名 化工学报 ISTICEIPKU
Journal CIESC JOURNA
年,卷(期): 2011, 62(3)
分类号: O782+.9
机标分类号: O64 TQ1
在线出版日期: 2011年6月21日
基金项目: 国家自然科学基金项目,安徽省自然科学基金项目