在Si衬底上生长3C-SiC晶体薄膜的优化工艺

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH〈,4〉+SiH〈,4〉+H〈,2〉混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。用XPS测试手段对薄膜样品进行了组分分析并通对热丝和衬底基座配置的改进和制备工艺的优化,抑制了HFCVD技术中的钨玷污和样品表面的富碳现象,获得了符合理想化学计量比的3C-SiC单晶薄膜。

作者单位: 理工大学 科技大学
母体文献: 第十一届全国半导体集成电路.硅材料学术会议论文集
会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议时间: 1999年9月1日
会议地点: 大连
主办单位: 中国电子学会
语 种: chi
在线出版日期: 2001年12月8日