碳化硅晶体质量的表征

碳化硅晶体是具有大的禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等优良特性的第三代半导体材料,在蓝光照明、高温、高频及抗辐照器件等方面具有广阔的应用前景。碳化硅晶体也是氮化镓、碳化硅等外延膜的理想衬底,与硅、砷化镓等传统半导体材料相比,具有晶格匹配性高、导热性好等优势。目前,碳化硅基器件已成为国际上研究的一个热点,如何生产出高质量、低缺陷密度的碳化硅单晶已成为制约该领域发展的关键性问题。本文对此进行简述。

作者单位: 北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京,100190 北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京,100190 中国科学院物理研究所,北京,100190
母体文献: 第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会论文集
会议名称: 第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
会议时间: 2009年10月11日
会议地点: 上海
主办单位: 中国物理学会,中国晶体学会,中国硅酸盐学会
语 种: chi
在线出版日期: 2010年5月31日