UHV-CVD法生长硅基碳化硅薄膜研究

碳化硅是目前宽带隙半导体材料研究的热点之一。它具有禁带宽度大,热导率高,电子的饱和和漂移速度大,临界击穿电场强度和介电常数低等特点。在高频、大功率、耐高温、抗辐射的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。该文报道了使用超高真空化气相沉积法(UHV-CVD)生长硅基碳化硅薄膜,使用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收光谱分析手段对薄膜的组分及结构进行了研究。

作者单位: 大学硅材料国家重点实验室(杭州) 大学硅材料国家重点实验室(杭州),大学硅材料国家重点实验室(杭州)
母体文献: 第十一届全国半导体集成电路.硅材料学术会议论文集
会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议时间: 1999年9月1日
会议地点: 大连
主办单位: 中国电子学会
语 种: chi
在线出版日期: 2001年12月8日