掺碳锗硅合金的制备及其性能研究进展
Recent advances in research and development on preparation and properties of SiGeC alloys
摘要 近几年来SiGeC三元合金受到人们的广泛关注,日益成为研究的热点之一.碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变,并调节其能带.总结了碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及碳对合金能带结构的影响,尤其是对弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用,并对其机理做了分析.
Author: QI Zhen YE Zhi-zhen HUANG Jing-yun LU Huan-ming ZHAO Bing-hui
作者单位: 浙江大学,硅材料国家重点实验室,杭州,310027
刊 名 半导体光电 ISTICPKU
年,卷(期): 1999, (3)
分类号: TN304.05
机标分类号: TM2 O64
在线出版日期: 2004年1月8日