化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷
Study on the dislocation of the sapphire crystal with chemical etching
摘要 采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104~10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳.
作者单位: 河北工业大学,天津,300130 天津半导体技术研究所,天津,300051
刊 名 半导体技术 ISTICPKU
年,卷(期): 2004, 29(4)
分类号: TN304.21 O77+2
机标分类号: TN3 TN2
在线出版日期: 2004年5月14日