碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展
Research Progress on Measurement of Residual Stress in SiC Single Crystal Materials
摘要 SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域.然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命.为准确评估晶体质量、服役过程中的可靠性和材料寿命,有必要对单晶材料的残余应力及分布规律进行深入研究.本文分析了SiC单晶中残余应力的来源,归纳总结了单晶材料应力检测技术的研究现状,并对SiC单晶材料应力检测方面的未来发展趋势进行了展望.
Author: DENG Ya ZHANG Yumin ZHOU Yufeng WANG Wei
作者单位: 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,哈尔滨,150080
刊 名 材料导报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2019, 33(z2)
分类号: O765
机标分类号: TU3 TB3
在线出版日期: 2020年1月16日