用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性
HOMOGENEITY OF OXYGEN AND RESISTIVITY IN CRYSTAL PREPARED BY PMCZ METHOD
摘要 用永磁体环形磁场直拉(PMCZ)炉代替普通的MCZ炉生长了质量较高的单晶硅在PMCZ炉中水平辐射状磁力线均匀分布,可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动,降低以至消除微观生长速率的起伏.在用PMCZ法生长的硅晶体中氧浓度较低,杂质的径向分布均匀性好简单地讨论了PMCZ法控氧优于普通MCZ法的机理.
作者单位: 河北工业大学 天津半导体材料厂
刊 名 材料研究学报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2001, 15(4)
分类号: O782
机标分类号: TN3 O65
在线出版日期: 2004年1月8日
基金项目: 国家自然科学基金