宽禁带功率半导体器件技术
Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics
摘要 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表.与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料.该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管.同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望.
Author: ZHANG Bo DENG Xiao-chuan CHEN Wan-jun LI Zhao-ji
作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
刊 名 电子科技大学学报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2009, 38(5)
分类号: TN3
机标分类号: TN3 TN7
在线出版日期: 2009年11月30日