宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望
Recent Development and Future Perspective of Silicon Carbide Power Devices--Opportunity and Challenge
摘要 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.
Author: ZHANG Bo DENG Xiao-chuan ZHANG You-run LI Zhao-ji
作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
年,卷(期): 2009, 4(2)
分类号: TN31 TN387
机标分类号: TN3 TN4
在线出版日期: 2009年6月24日