第三代半导体材料氮化镓(GaN)研究进展
The Research Progress of The Third Generation Semiconductor Materials GaN
摘要 第三代半导体材料氮化镓(GaN)因其禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、击穿电压高、介电常数小、导电性能好等优点,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料研究的热点.本文详细阐述了第三代半导体材料氮化镓(GaN)的制备方法、研究现状及产业化进展,指出了需进一步努力的方向和解决的方案,并对其未来的发展趋势和应用前景提出了展望.
作者: 谢欣荣
Author: Xie Xinrong
作者单位: 国家稀散金属工程技术研究中心,广东先导稀材股份有限公司,广东清远511517
刊 名 广东化工
年,卷(期): 2020, 47(18)
分类号: TB34
在线出版日期: 2020年12月3日