电子束蒸发沉积重掺硅薄膜及其在低辐射玻璃上的应用
Heavily doped Si film prepared by electron beam evaporation and its application in low-e glass
摘要 采用电子束蒸发法以普通玻璃为基板制备了重掺硅薄膜,通过SEM、EDS、透射光谱对其形貌、成分以及透射率进行了测试表征.进一步采用铝诱导低温晶化法在玻璃基板上沉积Al薄膜,对重掺硅薄膜进行铝诱导晶化.XRD测试、电学性能测试以及可见-红外光谱透射率测试结果表明,硅薄膜在温度为300℃以上出现了Si(111)的衍射峰,薄膜的导电性得到了提高,且具有较强的红外反射能力,表明在低辐射玻璃上具有一定的应用价值.同时采用电子束蒸发法制备了结构为glass/Si/Ag/Si的Ag基低辐射玻璃,通过光学性质测试和腐蚀情况观察结果表明硅薄膜具有保护低辐射薄膜的作用.
Author: LIU Xue-li HUANG Yan-wei LI Xiang-ming XI Jun-hua JI Zhen-guo
作者单位: 杭州电子科技大学材料与环境工程学院,浙江杭州,310018
刊 名 功能材料 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2012, 43(z1)
分类号: O484.1
机标分类号: TB3 O48
在线出版日期: 2013年6月13日
基金项目: 浙江省科技计划基金资助项目,浙江省自然科学基金资助项目,校级科研启动基金资助项目