第三代半导体材料生长与器件应用的研究
Study on Crystal Growth and Device Application of the 3rd-generation-semiconductors
摘要 着重论述了以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况.分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料,介绍了制备SiC和GaN单晶的方法.分析了SiC和GaN器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向.总结了SiC和GaN器件的研制情况,指出单晶质量是限制器件发展的主要因素.分析了SiC和GaN器件的目前应用和未来的市场前景,指出了SiC和GaN材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向.
作者单位: 河北工业大学,材料学院,天津,300130
刊 名 河北工业大学学报 ISTICPKU
年,卷(期): 2002, 31(2)
分类号: TN304.2 TN305
机标分类号: TN3 TN2
在线出版日期: 2004年1月8日