氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展
Reseach and Prospects on the Techniques of Preparation for Free-standing GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
摘要 氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.
Author: CHEN Hong-jian ZHANG Wei-lian CHEN Gui-feng LI Yang-xian
作者单位: 河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130
刊 名 河北工业大学学报 ISTICPKU
年,卷(期): 2007, 36(2)
分类号: TN304.054
机标分类号: TN3 O47
在线出版日期: 2007年6月4日
基金项目: 河北省自然科学基金