第三代半导体材料双雄并立,难分高下
摘要 进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫.在多位选手轮番登场后,有两位脱颖而出,它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄. SiC早在1842年就被发现了,但直到1955年,才有生产高品质碳化硅的方法出现;到了1987年,商业化生产的SiC进入市场;进入21世纪后,SiC的商业应用才算全面铺开.相对于Si,SiC的优点很多:有10倍的电场强度,高3倍的热导率,宽3倍禁带宽度,高一倍的饱和漂移速度.因为这些特点,用SiC制作的器件可以用于极端的环境条件下.
作者: 李晓延
刊 名 今日电子
年,卷(期): 2013, (1)
机标分类号: TN3 F27
在线出版日期: 2015年12月23日