锗对CZ Si中新施主的影响
Effluence of Ge on New Donor in CZ Si
摘要 等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.
Author: ZHANG Wei-lian SUN Jun-sheng TAN Bai-mei ZHANG En-huai ZHANG Ying-huai
作者单位: 河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130
刊 名 人工晶体学报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2000, 29(1)
分类号: O782.5
机标分类号: TN3 O48
在线出版日期: 2004年1月8日
基金项目: 中国科学院资助项目,河北省自然科学基金