掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性
Characteristic of FTIR Absorption Spectrum of Ge-doped CZSi
摘要 用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的增加, 红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰.锗浓度越高,此峰越明显.该峰可能是由于Ge-C或Si-Ge-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰.
作者单位: 河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130
刊 名 人工晶体学报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2004, 33(5)
分类号: TN305.2
机标分类号: TN3 TG1
在线出版日期: 2004年12月9日
基金项目: 河北省自然科学基金,国家自然科学基金