硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究
Thermoelectric Properties of Czochralski GeSi Crystal
摘要 作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300~1100K温度范围内,Seebeck系数随温度的变化.并对组分相同导电类型不同、晶向不同以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较.在研究温度区间,Seebeck系数的绝对值大小一般在200~600μV/K之间,随温度不同连续变化.通过对比发现SiGe合金的Seebeck系数大小不仅与Ge的浓度和温度有关,其他因素对其绝对值也有影响,其中晶向最为明显,表现出了明显的各向异性.此外,材料本身的电阻率除了作为一个热电参数影响最优值外,其大小还对Seebeck系数的绝对值有影响,即掺杂济浓度对Seebeck系数的影响.
Author: SUO Kai-nan ZHANG Wei-lian ZHAO Jia-peng ZHOU Zi-peng
作者单位: 河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130
刊 名 人工晶体学报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2007, 36(3)
分类号: TN24
机标分类号: TN3 O47
在线出版日期: 2007年7月30日
基金项目: 河北省自然科学基金