氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望
Development and Trends of GaN Single Crystal Substrate Fabrication Technology
摘要 氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表.因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料.采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基器件是实现其高性能的根本途径.本文综述了GaN单晶衬底制备的氢化物气相外延技术、三卤化物气相外延技术、氨热法及助熔剂法(钠流法)的研究进展,并对未来可能的发展方向提出了展望.
Author: JIANG Yuanxi LIU Nanliu ZHANG Fabi WANG Qi ZHANG Guoyi
作者单位: 桂林电子科技大学信息与通信学院,桂林 541004;北京大学东莞光电研究院,东莞 523808 北京大学东莞光电研究院,东莞 523808 桂林电子科技大学信息与通信学院,桂林 541004
刊 名 人工晶体学报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2020, 49(11)
分类号: TN304
在线出版日期: 2020年12月29日
基金项目: 国家自然科学基金面上项目,广东省重点领域研发计划,广东省区域联合基金重点项目