大尺寸 6H-SiC半导体单晶材料的生长
Growth of Large 6H-SiC Single Crystals
摘要 报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104~105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
刊 名 无机材料学报 ISTICEISCIPKU
年,卷(期): 2002, 17(4)
分类号: O782
机标分类号: TF8 TB3
在线出版日期: 2004年1月8日
基金项目: 国家自然科学基金,中国科学院所长基金