铝掺杂6H-SiC晶体拉曼光谱的温度特性研究
Temperature-dependent Raman Property of Al-doped 6H-SiC Crystals
摘要 采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体,测量了从室温到400℃的拉曼光谱.由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减,导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移动,并且发生展宽.随着温度升高,Al掺杂样品中的等离子体激元增加,使得样品中自由载流子浓度增大,由于纵向声子与等离子体激元和自由载流子之间存在很强的耦合交互作用,导致Al掺杂样品的Ai模强度显著降低而非掺杂样品几乎不变.通过拉曼光谱与霍耳效应测量,从理论和实验上分析了Al在高温下的激活行为及对自由载流子的贡献.
Author: LI Xiang-Biao SHI Er-Wei CHEN Zhi-Zhan XIAO Bing
作者单位: 中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海200050;中国科学院,研究生院,北京100049 中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海200050
刊 名 无机材料学报 ISTICEISCIPKU
年,卷(期): 2008, 23(2)
分类号: O782
机标分类号: TN3 TM9
在线出版日期: 2008年5月28日
基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划),国防科工委资助项目,上海市自然科学基金