微波等离子体化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜
Growth and Characterization of Amorphous Silicon Carbides Films
摘要 利用SH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜.实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片温度的升高明显减小、随沉积气压的增加先增大后减小.红外结构表明:在较低流量比R下,薄膜主要由硅团簇和非晶碳化硅两相组成,而当R>0.5时,薄膜的结构主要由非晶碳化硅组成,薄膜中键合的H主要是Si和C的封端原子.同时,沉积温度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H键的含量减少,而薄膜中Si-C含量明显增加且峰位发生了红移.薄膜相结构的转变是薄膜光学带隙变化的原因.
作者: 陈修勇 辛煜
Author: Chen Xiuyong Xin Yu
作者单位: 江苏省仪征技师学院 仪征211400 苏州大学薄膜材料实验室物理科学与技术学院 苏州215006
刊 名 真空科学与技术学报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2012, 32(2)
分类号: TB321
机标分类号: TN3 TN2
在线出版日期: 2012年5月16日