碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法
Test Method for Surface Quality and Micropipe?Density?of Silicon Carbide?Single Crystal?Polishing Wafers——Confocal and Differential Interferometry Optics
摘要: 本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法,表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片,抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm,厚度为300 μm~1000 μm。
标准编号: T/IAWBS 012-2019
发布日期: 2019年12月27日
状态: 现行
强制性标准:
实施日期: 2019年12月31日
开本页数: 0
中国标准分类号:
国际标准分类号: 29 29.045