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  • [会议论文] 郭钰 张玮 娄艳芳 彭同华 刘春俊 张贺 王锡明 陈小龙 ,2009 - 第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
    碳化硅晶体是具有大的禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等优良特性的第三代半导体材料,在蓝光照明、高温、高频及抗辐照器件等方面具有广阔的应用前景。碳化硅晶体也是氮化镓、碳化硅等外延膜的理想衬底,与硅...
    碳化硅晶体外延膜晶格匹配半导体材料
  • [会议论文] 娄艳芳 彭同华 王波 刘春俊 刘振洲 陈小龙 ,2012 - 第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会
      本文采用PVT(Physical Vapor Transport Method)方法生长出高质量4英寸SiC单晶。利用线切割、研磨和机械化学抛光等技术,最终获得了高结晶质量、低表面粗糙度的SiC晶片。
    半导体材料碳化硅单晶晶体生长结构表征
  • [会议论文] 冯春 王晓亮 肖红领 王翠梅 李建平 刘宏新 姜丽娟 陈竑 殷海波 王占国 侯洵 ,2012 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
      采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料,并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系,结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型,计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲...
    半导体材料氮化镓外延片碳化硅衬底弯曲度
  • [会议论文] 张建强 朱君山 张红娣 张建峰 刘彩池 ,2003 - 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
    氮化镓(GaN)材料是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料,GaN是在绿、蓝、紫以及紫外波段最有应用前途的光电子材料.由于其优良的性能,近几年成为国际上研究的热点,本文系统讨论了GaN薄膜的研究发展现状.
    氮化镓薄膜氮化镓半导体材料
  • [会议论文] 刘春俊 王波 赵宁 郭钰 张贺 王刚 王文军 陈小龙 彭同华 ,2014 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
    本研究组自1999年起一直致力于SiC晶体生长和加工技术的研究,在该研究领域己有十多年的积累,并率先在国内开展产业化工作,于2006年8月成立了国内第一家,也是目前国内规模最大的专业从事宽禁带半导体碳化硅研发、生产、销售...
    宽禁带半导体碳化硅晶体生长单晶产业化
  • [会议论文] 蔡树军 冯震 敦少博 陈昊 冯志红 王勇 张志国 ,2008 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
    宽禁带半导体材料-SiC和GaN具有禁带宽度大,热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电场高等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件等方面具有广泛的应用前景。文章综述了SiC和GaN的材料特性、SiC和GaN材料与器件的...
    氮化镓材料碳化硅材料宽禁带半导体材料临界击穿电场半导体器件热导率
  • [会议论文] 万寿科 孙学浩 张金福 王占国 ,2001 - 第四届中国功能材料及其应用学术会议
    我们近期建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL测试的系统.该系统对MOCVD法生长,以适当配比双掺Si、Zn杂质的6H-GaN单晶薄膜进行测量.在300K时,A峰为带边峰,波长为367.1nm(3.375eV);B峰为Si、Zn发光峰,波...
    氮化镓碳化硅硅酸盐纳米材料光致发光半导体材料
  • [会议论文] 李忠辉 董逊 任春江 李亮 焦刚 陈辰 陈堂胜 ,2008 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
    利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaN HEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×1016/V·s(室温)。采用上述材料制作1mm栅宽HEMTs器件,8GHz,45V工作时输出功率密度10.52W/mm,...
    碳化硅衬底氮化镓HEMTs材料外延生长工艺HEMTs器件功率增益
  • [会议论文] 盛阳 杨猛 高盛 邱玮 曹庆俊 陈应时 唐为君 ,2006 - 中国照明学会2006绿色照明技术与城市夜景及2008工程建设科技研讨会
    氮化镓作为第三代半导体材料,一直是蓝光发光二极管的主选材料.自从1993年氮化镓基外延技术被日本突破以后,在全球掀起了氮化镓基蓝光发光二极管产业化的高潮.随着GaN基发光材料生长和器件研究的迅速发展,高发光效率的G...
    氮化镓发光二极管半导体材料计算机模拟材料结构器件量子效应
  • [会议论文] 李为军 谢申齐 张波 陆卫 ,2007 - 2007年中国国际工业博览会科技论坛暨上海市激光学会2007年学术年会
    近来,随着第三代半导体材料氮化镓(GaN)的突破,InGaN基半导体己经吸引了人们的广泛注意,特别是在发光装置的应用上,例如高亮度的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。虽然GaN基LED已经产业化,但芯片出光效率低的问题仍没很...
    纳米压印氮化镓发光二极管半导体材料量子阱结构发光效率
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