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  • [会议论文] 鲍庆成 张凤玲 庞胜敏 ,1986 - 第四届全国发光学术会议
    激子色散理论氮化镓偏振光谱分析荧光衰减
  • [会议论文] 高瑛 ,1986 - 第四届全国发光学术会议
    发光中心光致发光光谱分析发光光谱低温氮化镓瞬态性能
  • [会议论文] 李懋良 李金兰 付顺德 ,1986 - 中国金属学会耐火材料学会综合年会
    硅质耐火材料分析方法碳化物耐火材料氮化物耐火材料定量分析元素分析
  • [会议论文] 蔡宣三 ,1986 - 1986年中国电源学会第七届全国电源技术年会
    移动电源调压器半导体材料性能分析系统设计稳定性
  • [会议论文] 范广涵 ,1986 - 第四届全国发光学术会议
    该文研究了MOCVD法ZnSe∶N单晶薄膜的生长掺杂条件,及其发射光谱,电学参数等光电特性随生长掺杂条件的变化。证实氮在ZnSe中形成激活能~110mev的浅受主能级。这是为获得P型硒化锌进行的一个尝试。(本刊录)
    硒化物晶体生长单晶薄膜发射谱半导体材料光学性质锌化合物电性
  • [会议论文] 赵国南 ,1986 - 全国首届MIC CAD及MIC工艺学术会
    该文主要就围绕微波器件及微波集成电路整个研制生产过程中的各个工序:材料制备、器件结构、电路分析、线路设计、版图刻制、性能校验等等相应阶段介绍其以往进展、当前动态和今后展望,重点在说明这些工序各阶段中CAD的应用和...
    微波集成电路计算机辅助设计综述生产工艺半导体材料
  • [会议论文] 李维志 吕有明 范希武 ,1986 - 第四届全国发光学术会议
    该文用带有盛镉尾管的升华法生长了CdS单晶。文中选用较低的生长温度Ts=1050℃,温度梯度△T=5~10℃,尾管温度Tcd=520℃得到了生长方向为<1010>,其它诸晶面为(1010),(0001)和(1120)的六方晶系CdS单晶,测量了(0001)的位错密度约...
    激子发射谱半导体材料晶体生长硫化镉光致发光晶体结构单晶
  • [会议论文] 李维卫 潘慧珍 ,1986 - 全国第三次光纤通信学术会议
    光电器件半导体工艺光通信低温技术半导体材料扩散
  • [会议论文] 元金山 ,1986 - 第四届全国发光学术会议
    该研究使用了有机金属化合物汽相沉积(MOCVD)技术制备的高质量GaXInl-XP发光材料。研究结果表明,GaxInl-XP的直接向间接跃迁的转变点为X≈0.69;在波长相同,掺同样杂质到同样水平的条件下,GaInP的发光效率是GaAsP的4~5倍,G...
    发光材料发光特性发光效率半导体材料发光光谱镓化合物发光强度铟化合物磷化合物
  • [会议论文] 王寿寅 范希武 ,1986 - 第四届全国发光学术会议
    用ODLTS方法观测到在真空加热ZnSe晶体后新出现的EV+0.30ev,EV+0.72ev和EV+0.33ev三个受主能级,同时在77K电致发光光谱上出现了5300R的绿带。以及5320A[*°*]的红带。文中研究了在真空中加热ZnSe晶体的ODLTS谱上新增加的受...
    电致发光能级半导体材料半导体物理热损伤硒化物锌化合物
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