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  • [会议论文] 张玲 孙家龙 ,1997 - 第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
    该文分析了影响蓝宝石单晶结构完整性的一些因素,在原设备、工艺条件的基础上,通过热场条件的合理设计及多项工艺条件的改进和创新,拉制出了满足CMOS/SOS集成电路用2″蓝宝石单晶,经实际应用效果较好。
    半导体材料
  • [会议论文] 李长江 刘玉龙 ,1997 - 第九届全国光散射学术会议
    纳米氮化镓拉曼光谱半导体材料
  • [会议论文] 姚汉民 冯伯儒 ,1997 - 第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会
    化学辅助离子束半导体材料干法刻蚀氮化镓薄膜
  • [会议论文] 赵子强 韩朝晖 ,1997 - 97全国荷电粒子源粒子束学术会议
    用双束共蒸发的方法,将半导体GaN和绝缘介质CaF〈,2〉共蒸发,制备出GaN:CaF〈,2〉团簇复合膜。GaN团簇嵌埋在CaF〈,2〉中,其团簇大小可通过蒸发电流和携带气压控制。TEM结果显示GaN团簇呈多晶结构,团簇尺寸大约10nm。他们研究了该...
    离化簇团束氮化镓薄膜发光半导体材料
  • [会议论文] 徐茵 杨树人 ,1997 - 第五届全国固体薄膜学术会议
    氮化镓半导体材料外延生长低温生长
  • [会议论文] 黄靖云 叶志镇 ,1997 - 第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
    利用UHV/CVD系统进行了Si〈,1-X〉Ge〈,x〉/Si外延,分别用二次离子质谱仪(SIMS)和SSM-150型扩展电阻仪测量了其过渡层,并用扩散理论进行了分析。
    锗硅材料半导体材料
  • [会议论文] 孟宪权 罗海林 ,1997 - 97全国荷电粒子源粒子束学术会议
    氮化镓(GaN)是一种优良的兰色发光半导体材料。该文作者采用反应离化簇团束方法(R-ICBD)在Si(111)衬底上用较低的衬底温度(400℃)得到了氮化镓薄膜,用X光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)对薄膜的成分、结构、形...
    磁过滤弧源沉积系统硅化钛快速退火
  • [会议论文] 姜小波 叶志镇 ,1997 - 第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
    他们用UHV/CVD系统生长了锗硅合金。外延层的组分由二次离子质谱和双晶衍射决定。他们发现生长速度随GE组分的增加而降低,B〈,2〉H〈,6〉对锗硅合金的生长有催化作用。二次离子测试表明,锗硅外延层的纵向分布均匀。
    衬底nm Si-SiO<,X>薄膜半导体材料
  • [会议论文] 卢焕明 汪雷 ,1997 - 第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
    半导体材料
  • [会议论文] 张仕国 张伟 ,1997 - 第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
    镍硅化物半导体材料
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