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  • [会议论文] 靳涛 ,1998 - 全国光电子物理及应用前沿问题研讨会
    电离效应半导体材料半导体物理X光辐照磷化铟单晶
  • [外文期刊] C.E.Weitzel 《Materials Science Forum》, ISTIC EI SCI PKU CSSCI 1998 Pt.1
    4H-SiC MESFET's (MEtal SemiconductorField-Effect Transistor) have achieved the highest ?max (≥42 GHz) and the highest power densities, 3.3W/mmat 850 MHz (CW) and at 10 GHz (pulsed). On the otherhand, 4...
    silicongallium arsenidesilicon carbidegallium nitridehigh-frequencyhigh-power FET砷化镓碳化硅氮化镓高频
  • [会议论文] 陈治明 ,1998 - 中国电工技术学会电力电子学会四届四次理事会议暨学术报告会
    半导体材料碳化硅电子器件
  • pH值缓冲溶液作为沉淀剂,利用非均匀成核法在纳米SiC微粒表面均匀涂覆一层Al(OH)3. 通过控制Al(OH)3生成量,可以控制涂层的厚度. 涂覆后的SiC粒子表面性质被改变,其水悬浮液表现出类似Al2O3的胶体特性,并且其在水中的分...
    涂覆非均匀成核法纳米碳化硅颗粒表面改性胶体特性
  • [会议论文] 王引书 李亚闽 张方方 林兰英 ,1998 - 第三届全国机械工程材料青年学术年会
    用C〈,2〉H〈,4〉在不同条件下将Si(100)衬底碳化形成SiC的缓冲层,并在其上生长了SiC,研究了碳化层对外延生长的影响。在固定温度下碳化洁净的Si(100)面,形成了多晶SiC缓冲层;在升温过程碳化或保留升温过程形成的SiC进一步碳...
    多晶缓冲层外延生长碳化硅半导体材料
  • [会议论文] 康俊勇 黄启圣 ,1998 - 第八届全国发光学术会议
    外延层缺陷光学性质半导体材料氮化镓
  • [会议论文] 辛勇 熊传兵 ,1998 - 第八届全国发光学术会议
    GaN具有直接跃迁的能带结构,室温禁带宽为3.4eV,且化学稳定性很好,是制作高温、高功率、高光效的光电子器件基材料。自从1994年日本Nakamura等人率先使用GaN材料研制高亮度蓝色发光二极管并商品化以来,国内外出现了NaN研究...
    双晶衍射半导体材料氮化镓
  • [会议论文] 金泗轩 丁晓民 ,1998 - 第八届全国发光学术会议
    光致发光发光特性外延生长半导体材料氮化镓
  • [会议论文] 王国章 章蓓 ,1998 - 第八届全国发光学术会议
    光学微盘显微荧光图像发光器件半导体材料氮化镓
  • [会议论文] 陈广超 杜小龙 ,1998 - '98全国材料表面与界面的科学与工程研讨会
    电子回旋共振等离子体生长氮化镓薄膜半导体材料半导体薄膜
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