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  • [期刊论文] 《半导体技术》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2010年8期 陈海明
    美国、日本和欧盟等国在SiC、GaN和金刚石等宽带隙半导体器件与电路研究中已取得多项里程碑性的进展,这些飞速发展已经证实宽带隙半导体是当之无愧的新一代半导体材料,并将替代Si和GaAs应用于相控阵雷达、高保密通信及其他...
    宽带隙半导体发展计划碳化硅氮化镓砷化镓恶劣环境
  • [期刊论文] 《半导体技术》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2010年3期 张冠英 梅俊平 解新建
    第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD).其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬...
    金属有机化合物化学气相沉积氮化镓异质外延横向外延MOCVD设备MOCVDGaNheteroepitaxylateral epitaxyMOCVD equipment
  • 采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一.在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败.研究了拉速器速度、保温时间及...
    垂直梯度凝固(VGF)锗单晶籽晶熔接位错密度vertical gradient freeze (VGF)germanium single crystalseed crystalweldingdislocation density
  • [期刊论文] 《半导体技术》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2009年7期 赵小宁 李秀清
    SiC和GaN等宽带隙半导体以其固有的高频、大功率、高温和抗恶劣环境应用潜力,在替代传统的Si和GaAs等器件应用于军事及宇航系统装备方面具有无可比拟的技术优势.概述了以SiC、GaN和金刚石等为代表的第三代半导体器件技术的...
    宽带隙半导体宇航应用微电子器件碳化硅金刚石氮化镓恶劣环境
  • GaN基功率器件的衬底和外延技术的发展对于器件性能的提升和成本的降低起着非常重要的作用.介绍了国外SiC基、Si基以及新型金刚石基GaN功率器件衬底材料和GaN外延技术的研发现状.重点讨论了大尺寸衬底技术(6英寸SiC衬底、...
    氮化镓碳化硅金刚石衬底材料异质集成GaNSiCSidiamondsubstrate materialheterogeneous integration
  • [期刊论文] 《半导体技术》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2010年5期 吴华 郝建民 冯玢 洪颖
    半绝缘碳化硅单晶(SI-SiC)是非常具有吸引力的大功率电子器件衬底材料,目前已越来越多地引起了人们的重视.其晶片电阻率的测试一直是一个难题.介绍了一种非接触电阻率测试方法,可以有效地解决这一难题.该方法利用电容充...
    半绝缘碳化硅电阻率图像化非接触测试方法弛豫曲线SI-SiCresistivitymappingnon-contact methodrelaxation curve
  • 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的“陷阱”,会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻.对SiC MOSFET和GaN HEMT各选取了一款典型的...
    碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)高温稳定性可靠性
  • 8. 全文 IGBT技术发展综述 (被引用65)
    [期刊论文] 《半导体技术》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2008年11期 叶立剑 邹勉 杨小慧
    绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展.概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展.特别是宽禁带半导体材料Si...
    绝缘栅双极晶体管专利碳化硅掺砷
  • [期刊论文] 《半导体技术》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2013年2期 赵正平
    以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望.SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频...
    碳化硅肖特基二极管pin二极管金属氧化物场效应管绝缘栅双极晶体管栅关断晶闸管结型场效应管双极型晶体管
  • [期刊论文] 《半导体技术》 ISTIC EI SCI PKU CSSCI - 2002年3期 王占国
    首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量...
    半导体材料量子线量子点材料光子晶体
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