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  • 服务由 质检出版社 提供

    GB 29447-2012 - 中外标准 - - 2012/12 - 现行
    本标准规定了多晶硅企业单位产品能源消耗(以下简称能耗)限额的技术要求、统计范围、计算方法、计算范围、节能管理与措施。
    能源能耗极限(数学)企业产品ENERGY SOURCESCONSUMPTION (ENERGY)LIMITS (MATHEMATICS)SILICONSILICONEENTERPRISESPRODUCTPRODUCTS
  • 服务由 电子四所 提供

    SJ 20858-2002 - 中外标准 - - 2002/12 - 现行
    本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃~700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。
    碳化硅单晶材料电学参数测试方法
  • T/CSTM 00034-2020 - 中外标准 - - 2020/8 - 未生效
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB 31338-2014 - 中外标准 - - 2014/12 - 现行
    本标准规定了工业硅企业单位产品生产能源消耗(以下简称能耗)限额的技术要求、统计范围和计算方法、节能管理与措施。 本标准适用于工业硅企业单位产品生产能耗的计算、考核,以及对新建项目的能耗控制。
  • 服务由 电子四所 提供

    SJ 20843-2002 - 中外标准 - - 2002/10 - 现行
    本标准规定了砷化镓单晶中AB微缺陷密度的定量检验方法。本标准适用于晶向为<100>的砷化镓单晶中AB微缺陷密度的测量。
    砷化镓密度定量检验方法
  • 服务由 电子四所 提供

    SJ 20744-1999 - 中外标准 - - - 现行
    本标准规定了半导体材料中杂质含量的红外吸收分析方法的术语、基本原理、仪器设备、样品制备、测量条件、测量步骤和测量结果的计算。 本标准适用于在红外光谱区为透明的并在该区域产生杂质吸收带的任何半导体单晶材料红外分析方法。
    半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
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