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  • T/ZSA 72-2019 - 中外标准 - - 2019/12 - 现行
    本标准规定了4H及6H碳化硅单晶必要的相关术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。
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    GB/T 38976-2020 - 中外标准 - - 2020/7 - 未生效
    标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试测试范围为2.5×10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>(0.05ppma)~2.5×10cm<sup>-3</sup>(50ppma)。
  • GB/T 26068-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 12965-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法(包括中子擅变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等,或进一步加工成抛光片。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 12964-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了硅单晶拋光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶拋光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等,或作为硅外延片的衬底。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 16595-2019 - 中外标准 - - 2019/3 - 现行
    本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。 本标准适用于标称直径100mm~200mm的硅片,也适用于其他半导体材料晶片。
  • GB/T 14844-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。 本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。
  • GB/T 11071-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了区熔锗锭的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料,经区熔提纯工艺制备得到的区熔锗锭。ZGe-0区 熔锗锭主要用于制备半导体及高纯锗探测器用的髙纯锗单晶;ZGe-l区熔锗锭主要用于制备红外光学和太阳能电池用的锗单晶及各类锗-铬、锗-硅合金等。
  • SJ/T 11502-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。 本规范适用于晶型为6H和4H,单面或双面抛光,直径100 mm及以下的碳化硅单晶拋光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用。
  • YS/T 679-2018 - 中外标准 - - 2018/10 - 现行
    本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法,包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。本标准适用于非本征半导体材料,如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试,测试样品(外延层)的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定,但已对电阻率0.1Ω·cm~50Ω·cm、载流子寿命短至2ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过测试扩散长度后计算出硅中的铁含量。本标准也可用于测试其他半导体材料,如砷化镓样品(需同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品制备工艺)等的有效扩散长度,评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品中的有效扩散长度,还可用于测试硅片洁净区宽度,以及太阳能电池和其他光学器件的有效扩散长度。
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