}
首页>知识导航 >新材料产业 >特种金属功能材料 >半导体材料
全部
订阅
收起
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 1552-1995 - 中外标准 - - 1995/4 - 作废
    本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。  本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。测量范围为硅:1×10^-^3~3×10^3Ω·cm,锗:1×10^-^3~1×10^2Ω·cm。
    测量半导体材料电阻率半导体材料电阻率测量
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 1551-1995 - 中外标准 - - 1995/4 - 作废
    本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。  本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。测量范围:硅单晶为10^-^3~10^4Ω·cm,锗单晶为5×10^-^4~10^2Ω·cm。试样长度与截面最大尺寸之比应不小于3:1。
    电阻率测量晶体半导体材料晶体电阻率直流电流测量
  • 服务由 电子四所 提供

    SJ/T 10625-1995 - 中外标准 - - 1995/4 - 现行
    本标准适用于锗单晶中间隙氧含量的测定,测量范围为10ppba至间隙氧在锗单晶中的最大固溶度。
    锗单晶体间隙氧含量红外吸收测定方法
  • CNS 13625-1995 - 中外标准 - - 1995/12 - 现行
    化学元素和无机化合物晶体产品规范Circles (geometry)%Arsenic%Chemical elements and inorganic compounds%Crystals%Product specification
回到顶部
选择了条数据