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  • 服务由 电子四所 提供

    SJ 20858-2002 - 中外标准 - - 2002/12 - 现行
    本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃~700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。
    碳化硅单晶材料电学参数测试方法
  • 服务由 电子四所 提供

    SJ 20843-2002 - 中外标准 - - 2002/10 - 现行
    本标准规定了砷化镓单晶中AB微缺陷密度的定量检验方法。本标准适用于晶向为<100>的砷化镓单晶中AB微缺陷密度的测量。
    砷化镓密度定量检验方法
  • SN/T 1039-2002 - 中外标准 - - 2002/1 - 现行
    进口碳化硅出口碳化硅碳化硅取样方法制样方法
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 7153-2002 - 中外标准 - - 2002/7 - 现行
    本标准规定了绝缘和非绝缘的阶跃型正温度系数热敏电阻器的术语和试验方法,这类电阻器一般由铁电半导体材料制成。  本标准规定了用于电子元件鉴定批准和质量评定体系详细规范的标准术语、检验程序和试验方法。
    直热式阶跃型正温度系数热敏电阻规范电阻器specificationsthermistorsspecificationresistors
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