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    GB/T 19922-2005 - 中外标准 - - 2005/9 - 现行
    本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。  本标准适用于无接触、非破坏性地测量干燥、洁净的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100mm及以上、厚度250μm及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。
    半导体半导体材料测量试验SEMICONDUCTORSSEMICONDUCTOR MATERIALSMEASUREMENTMEASURINGMEASUREMENTSSILICONESILICONEXAMINATIONTESTTRIALSTESTINGREFRACTORY PRODUCTSDEPOSITCRUDE OILSTESTSbristles
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    GB/T 19921-2005 - 中外标准 - - 2005/9 - 作废
    本标准规定了应用扫描表面检查系统(SSIS)对硅抛光片表面颗粒进行测试、计数和报告的程序。  本标准适用于硅抛光片,也可适用于硅外延片或其他镜面抛光片(如化合物抛光片)。  本标准也可适用于观测硅抛光片表面的划痕、桔皮、凹坑、波纹等缺陷,但这些缺陷的检测、分类依赖于设备的功能,并与检测时的初始设置有关。  注:本标准涉及的方法通常选用波长(488~633)nm的激光光源,最常用的是488nm的氩离子激光器;目前可测量的最小颗粒直径约为0.06μm或更小些。
    粒状材料试验半导体材料半导体PARTICULATE MATERIALSSILICONESILICONEXAMINATIONTESTTRIALSTESTINGDEPOSITCRUDE OILSTESTSbristlesSEMICONDUCTOR MATERIALSSEMICONDUCTORS
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