}
首页>知识导航 >新材料产业 >特种金属功能材料 >半导体材料
标准分类
全部
订阅
收起
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 1553-2009 - 中外标准 - - 2009/10 - 现行
    本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性,试样可以重复测试,但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面,见表1。本标准可测的最低寿命值为10μs,取决于光源的余辉。不适用于抛光片的验收测试。
    半导体材料晶体衰减寿命半导体GERMANIUMSILICONSILICONESEMICONDUCTOR MATERIALSCRYSTALSATTENUATIONATTENUATIONSATTENUATORSDECAYINGFADINGLIFE(DURABILITY)LIFE (DURABILITY)LIFE:DURABILITYLIFE DURABILITYSEMICONDUCTORS
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 6621-2009 - 中外标准 - - 2009/10 - 现行
    本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参照此方法。本标准适用于测量标准直径76mm,100mm,125mm,150mm,200mm,电阻率不大于200Ω•cm厚度不大于1000μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
    半导体半导体材料晶体平整度表面性质SEMICONDUCTORSSEMICONDUCTOR MATERIALSSILICONSILICONECRYSTALSFLATNESSFLATNESS (SURFACE)SURFACE PROPERTIESSURFACEPROPERTIES
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 6624-2009 - 中外标准 - - 2009/10 - 现行
    本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片表面质量的方法。本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。
    半导体半导体材料晶体表面性质质量SEMICONDUCTORSSEMICONDUCTOR MATERIALSSILICONSILICONECRYSTALSSURFACE PROPERTIESSURFACEPROPERTIESQUALITYURANIUM DIOXIDE
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 10117-2009 - 中外标准 - - 2009/10 - 现行
    本标准规定了高纯锑的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单。本部分适用于以工业锑为原料,经氯化、精镏、氢气还原、蒸馏等而制得的纯度不小于99.999%的以及不小于99.9999%的高纯度锑。产品用于制备Ⅲ-Ⅴ族半导体材料、高纯合金、热电致冷元件以及用作硅、锗单晶的掺杂剂等。
    金属重金属ANTIMONYMETALSMETALHEAVY METALS
  • 服务由 电子四所 提供

    SJ/T 11396-2009 - 中外标准 - - 2009/11 - 废止
    氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 14264-2009 - 中外标准 - - 2009/10 - 现行
    本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。本标准适用于元素和化合物半导体材料
    半导体术语半导体器件SEMICONDUCTORSNOMENCLATURETERMINOLOGYTERMINOLOGICALTERMSCLUTCHES--TERMINOLOGYSEMICONDUCTOR DEVICES
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 21944.2-2009 - 中外标准 - - 2009/4 - 现行
    GB/T 21944的本部分规定了反应烧结碳化硅异型梁的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。   本部分适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅异型梁。
    碳化硅耐火烧结材料模具SILICON CARBIDESILICON CARBIDESREFACTORIESDIESMOULDS
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 21944.4-2009 - 中外标准 - - 2009/4 - 现行
    GB/T 21944的本部分规定了反应烧结碳化硅烧嘴套的产品分类、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。   本部分适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅烧嘴套。
    碳化硅烧结烧结材料烧结产品碳化物硅无机化合物SILICON CARBIDESILICON CARBIDESSINTERINGFRITTED MATERIALSSINTER MATERIALSSINTERED PRODUCTSCARBIDECARBIDESSILICON INORGANIC COMPOUNDS
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 4058-2009 - 中外标准 - - 2009/10 - 现行
    本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。
    检验缺陷计算半导体材料晶体缺陷半导体CHECKSINSPECTIONEXAMINATIONSDEFECT COUNTINGSEMICONDUCTOR MATERIALSSILICONSILICONECRYSTAL DEFECTSSEMICONDUCTORS
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 6618-2009 - 中外标准 - - 2009/10 - 现行
    本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。
    半导体半导体材料晶体厚度厚度测量SEMICONDUCTORSSEMICONDUCTOR MATERIALSSILICONSILICONECRYSTALSTHICKNESSTHICKNESS MEASUREMENT
回到顶部
选择了条数据