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  • SJ/T 11502-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。 本规范适用于晶型为6H和4H,单面或双面抛光,直径100 mm及以下的碳化硅单晶拋光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用。
  • SJ/T 11501-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了利用拉曼光谱测定碳化硅单晶结晶类型的方法。 本标准适用于碳化硅单晶晶型的测定。
  • SJ/T 11503-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。 本标准适用于碳化桂单晶拋光片表面粗糙度的测试。其中,原子力显微镜法仅适用于经过化学机械拋光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几納米至几微米范围内的碳化硅单晶抛光片。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 24578-2015 - 中外标准 - - 2015/12 - 现行
    本标准规定了使用全反射x光荧光光谱,定量测定硅拋光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片),尤其适用于硅片清洗后自然氧化层,或经化学方法生长 的氧化层中沾污元素面密度的测定,测定范围为109 atoms/cm2〜1015 atoms/cm2 0本标准同样适用于其他半导体材料,如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。
  • SJ/T 11499-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了利用范德堡法测试6H、4H等晶型碳化硅单晶的导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的方法。
  • SJ/T 11504-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了碳化硅单晶抛光片表面质量的目视检验方法,观察样品表面的六方孔洞、划痕、凹坑、颗粒、沾污、亮点缺陷、裂纹、崩边的数量并用钢板尺测量划痕的总长度等。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 19199-2015 - 中外标准 - - 2015/12 - 现行
    本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 17170-2015 - 中外标准 - - 2015/12 - 现行
    本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 12962-2015 - 中外标准 - - 2015/12 - 现行
    本标淮规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的桂单晶。产品主要用于制作半导体元器件。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 32280-2015 - 中外标准 - - 2015/12 - 现行
    本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。 本标准适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、拋光、刻蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应(或)机械效应引起的硅片翘曲,也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。
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