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  • SJ 21122-2016 - 中外标准 - - 2016/1 - 现行
    本规范规定了PVTSiC76SI1-BPO1型碳化硅单晶抛光片要求、质量保证规定及交货准备等。本规范适用于PUTSiC76SI1-BPOl型碳化硅单晶抛光片(以下简称碳化硅品片)。
  • SJ/T 11632-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)微裂纹缺陷的测试方法。 本标准适用于太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试,也可适用于硅片裂纹、杂质和孔洞缺陷的测试。在采用本标准提供的测试方法测试其他类型的样品之前,需由供需双方协商。
  • SJ/T 11627-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了太阳能电池用硅片电阻率在线测试的方法。 本标准适用于测试边长大于25mm、厚度为0.1mm-0.5 mm的太阳能电池用硅片(简称硅片)的电阻率。测试范围为1.0×10<sup>-3</sup>Ω·cm-2×10<sup>2</sup>Ω·cm。
  • 服务由 质检出版社 提供

    YS/T 24-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4μm的钉缺陷。如果钉缺陷比较少且彼此不相连,本标准可用于钉缺陷的计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。
  • 服务由 质检出版社 提供

    YS/T 23-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。本标准适用于在<111>、<100>和<110>晶向的硅单晶衬底上生长的2μm~120μm硅外延层厚度的测量。
  • YS/T 1182-2016 - 中外标准 - - 2016/7 - 现行
    本标准规定了锗单晶安全生产的基本安全要求、工艺作业安全、设备设施安全作业要求、检修维护、危险源辨识、风险评价、风险控制、应急管理、职业健康和事故处理管理等。本标准适用于以区熔锗锭为原料生产锗单晶及晶片的安全生产管理。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 32978-2016 - 中外标准 - - 2016/8 - 现行
    本标准规定了碳化硅质高温陶瓷过滤元件的术语和定义、产品分类、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、贮运和安装。 本标准主要适用于高温气体净化用碳化硅质高温陶瓷过滤元件,尤其适用于粉煤气化、新能源等领域高温高压气体净化用碳化硅质高温陶瓷过滤元件。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 32652-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了多晶硅铸锭石英坩埚用熔融石英料的技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于太阳能级多晶硅铸锭石英坩埚用熔融石英料。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 32651-2016 - 中外标准 - - 2016/4 - 现行
    本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。 本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、 硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(A1)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓(Ga)等元素的测定范围为5 pg/kg〜50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。
  • YS/T 1167-2016 - 中外标准 - - 2016/7 - 现行
    本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。
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