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  • T/IAWBS 010-2019 - 中外标准 - - 2019/12 - 现行
    本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。
  • T/ZSA 72-2019 - 中外标准 - - 2019/12 - 现行
    本标准规定了4H及6H碳化硅单晶必要的相关术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。
  • T/IAWBS 012-2019 - 中外标准 - - 2019/12 - 现行
    本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法,表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片,抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm,厚度为300 μm~1000 μm。
  • T/IAWBS 005-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。产品作为衬底材料主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件。
  • GB/T 26068-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 38976-2020 - 中外标准 - - 2020/7 - 未生效
    标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试测试范围为2.5×10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>(0.05ppma)~2.5×10cm<sup>-3</sup>(50ppma)。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 12965-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法(包括中子擅变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等,或进一步加工成抛光片。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 12964-2018 - 中外标准 - - 2018/9 - 现行
    本标准规定了硅单晶拋光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶拋光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等,或作为硅外延片的衬底。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 16595-2019 - 中外标准 - - 2019/3 - 现行
    本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。 本标准适用于标称直径100mm~200mm的硅片,也适用于其他半导体材料晶片。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 38907-2020 - 中外标准 - - 2020/6 - 未生效
    本标准规定了多晶硅行业节水型企业评价的术语和定义、评价指标体系及要求。本标准适用于多晶硅行业节水型企业的评价工作。
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