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  • SJ 21122-2016 - 中外标准 - - 2016/1 - 现行
    本规范规定了PVTSiC76SI1-BPO1型碳化硅单晶抛光片要求、质量保证规定及交货准备等。本规范适用于PUTSiC76SI1-BPOl型碳化硅单晶抛光片(以下简称碳化硅品片)。
  • GB/T 14844-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。 本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。
  • GB/T 11071-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了区熔锗锭的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料,经区熔提纯工艺制备得到的区熔锗锭。ZGe-0区 熔锗锭主要用于制备半导体及高纯锗探测器用的髙纯锗单晶;ZGe-l区熔锗锭主要用于制备红外光学和太阳能电池用的锗单晶及各类锗-铬、锗-硅合金等。
  • SJ/T 11502-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。 本规范适用于晶型为6H和4H,单面或双面抛光,直径100 mm及以下的碳化硅单晶拋光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用。
  • YS/T 679-2018 - 中外标准 - - 2018/10 - 现行
    本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法,包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。本标准适用于非本征半导体材料,如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试,测试样品(外延层)的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定,但已对电阻率0.1Ω·cm~50Ω·cm、载流子寿命短至2ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过测试扩散长度后计算出硅中的铁含量。本标准也可用于测试其他半导体材料,如砷化镓样品(需同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品制备工艺)等的有效扩散长度,评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品中的有效扩散长度,还可用于测试硅片洁净区宽度,以及太阳能电池和其他光学器件的有效扩散长度。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 30656-2014 - 中外标准 - - 2014/12 - 现行
    本标准规定了 4H及6H碳化硅单晶拋光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面拋光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 16596-2019 - 中外标准 - - 2019/3 - 现行
    本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。
  • GB/T 19921-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
  • SJ/T 11501-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了利用拉曼光谱测定碳化硅单晶结晶类型的方法。 本标准适用于碳化硅单晶晶型的测定。
  • SJ/T 11503-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。 本标准适用于碳化桂单晶拋光片表面粗糙度的测试。其中,原子力显微镜法仅适用于经过化学机械拋光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几納米至几微米范围内的碳化硅单晶抛光片。
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