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    GB/T 20229-2006 - 中外标准 - - 2006/4 - 现行
    本标准规定了非掺杂,掺S,掺Te的n型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。  本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化镓单晶材料(以下简称单晶)。
    磷化物镓无机化合物磷化合物半导体材料PHOSPHIDESGALLIUM INORGANIC COMPOUNDSGALLIUMPHOSPHORUSPHOSPHONIUM COMPOUNDSSEMICONDUCTOR MATERIALS
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    GB/T 30656-2014 - 中外标准 - - 2014/12 - 现行
    本标准规定了 4H及6H碳化硅单晶拋光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面拋光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
  • T/IAWBS 010-2019 - 中外标准 - - 2019/12 - 现行
    本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。
  • SJ/T 11502-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。 本规范适用于晶型为6H和4H,单面或双面抛光,直径100 mm及以下的碳化硅单晶拋光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用。
  • T/IAWBS 005-2018 - 中外标准 - - 2018/12 - 现行
    本标准规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。产品作为衬底材料主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件。
  • SJ 21122-2016 - 中外标准 - - 2016/1 - 现行
    本规范规定了PVTSiC76SI1-BPO1型碳化硅单晶抛光片要求、质量保证规定及交货准备等。本规范适用于PUTSiC76SI1-BPOl型碳化硅单晶抛光片(以下简称碳化硅品片)。
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    GB/T 1552-1995 - 中外标准 - - 1995/4 - 作废
    本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。  本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。测量范围为硅:1×10^-^3~3×10^3Ω·cm,锗:1×10^-^3~1×10^2Ω·cm。
    测量半导体材料电阻率半导体材料电阻率测量
  • SJ/T 11501-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了利用拉曼光谱测定碳化硅单晶结晶类型的方法。 本标准适用于碳化硅单晶晶型的测定。
  • T/IAWBS 012-2019 - 中外标准 - - 2019/12 - 现行
    本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法,表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片,抛光片直径为50.8 mm、76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm,厚度为300 μm~1000 μm。
  • SJ/T 11503-2015 - 中外标准 - - 2015/4 - 现行
    本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。 本标准适用于碳化桂单晶拋光片表面粗糙度的测试。其中,原子力显微镜法仅适用于经过化学机械拋光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几納米至几微米范围内的碳化硅单晶抛光片。
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