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标准
  • DB37/T 1716-2010 - 中外标准 - - 2010/12 - 现行
    本标准规定了煤化工企业安全预警信息系统的设计、实现与运行维护。 本标准适用于以煤炭为主要原料生产的流程性化工企业,其它企业可作参考。
  • DB37/ 1694-2010 - 中外标准 - - 2010/12 - 废止
    本标准规定了挥发性液体有机化工产品装卸作业的术语与定义、基本要求、作业要求、工艺、设施、安全警示标志标识、劳动防护、人员要求、防雷、防静电、电气、消防设施、事故应急。 本标准适用于常压汽车槽车运输挥发性液体有机化工产品的充装、卸载作业活动。
  • MH/T 6067-2010 - 中外标准 - - 2010/12 - 现行
    本标准规定了液体或半液体化合物对处于弯曲应力作用下的透明聚丙烯酸类塑料银纹化影响的试验方法。本标准适用于 A 型、 B 型和 C 型聚丙烯酸类塑料的银纹化影响试验。
    接触液体半液体化合物聚丙烯塑料聚丙烯酸类塑料应力银纹化试验方法
  • ISO/TS 25138-2010 - 中外标准 - - 2010/12 - 现行
    ISO/TS 25138:2010 describes a glow-discharge optical-emission spectrometric method for the determination of the thickness, mass per unit area and chemical composition of metal oxide films. The method is applicable to oxide films 1 nm to 10 000 nm thick on metals. The metallic elements of the oxide can include one or more from Fe, Cr, Ni, Cu, Ti, Si, Mo, Zn, Mg, Mn and Al. Other elements that can be determined by the method are O, C, N, H, P and S.
    Aluminium coatingChemical analysis and testingDetermination of contentDimensionsFinishesGlow dischargesMetallic oxidesOptical emission spectrometersSpectrometryThickness
  • ISO 12406-2010 - 中外标准 - - 2010/11 - 现行
    ISO 12406:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of arsenic in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous silicon specimens with arsenic atomic concentrations between 1 x 1016 atoms/cm3 and 2,5 x 1021 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.
    校准化学分析和试验晶体深度剖面精整数学计算二次离子质谱分析法光谱测定法表面试验结果测试ArsenicCalibrationChemical analysis and testingCrystalsDepth profileFinishesMathematical calculationsSecondary-ion mass spectrometrySiliconSpectrometrySurfacesTest resultsTesting
  • ISO 10810-2010 - 中外标准 - - 2010/11 - 现行
    ISO 10810:2010 is intended to aid the operators of X?ray photoelectron spectrometers in their analysis of typical samples. It takes the operator through the analysis from the handling of the sample and the calibration and setting-up of the spectrometer to the acquisition of wide and narrow scans and also gives advice on quantification and on preparation of the final report.
    分析校准化学分析和试验瓶口指导手册光电子的光电子学分光计光谱测定法表面化学X射线分析X射线分光计AnalysisCalibrationChemical analysis and testingFinishesGuide booksPhotoelectronicPhotoelectronicsSpectrometersSpectrometrySurface chemistryX-ray analysisX-ray spectrometer
  • UL 796F-2010 - 中外标准 - - 2010/10 - 废止
    涂层材料导电体电性质和电现象柔性柔性材料隔热板互连结构多层印制电路板物理性能印制电路印制导线印制电路板特性刚性Coating materialsElectric conductorsElectrical properties and phenomenaFlexibleFlexible materialsInsulating platesInterconnection structuresMultilayer printed boardsPhysical propertiesPrinted circuitsPrinted wiringPrinted-circuit boardsPropertiesRigid
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    GB/T 25186-2010 - 中外标准 - - 2010/9 - 现行
    本标准指定了一种由离子注入参考物质确定二次离子质谱分析中相对灵敏度因子的方法。本标准适用于基体化学成分单一的样品,其中注入物质的峰值原子浓度不超过1%。
    质谱学表面性质化学分析和试验因子灵敏度MASS SPECTROMETRYSURFACE PROPERTIESSURFACEPROPERTIESCHEMICAL ANALYSIS AND TESTINGSENSITIVITY
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 25184-2010 - 中外标准 - - 2010/9 - 现行
    本标准规定了X射线光电子能谱仪的检定方法。本标准适用于使用非单色化Al或Mg X射线或单色化Al X射线,且带有溅射清洁用离子枪的X射线光电子能谱仪的检定。
    X射线X射线仪光电子器件鉴定X射线分析X-RAYSX RAYSX-RAYX-RAY APPARATUSOPTOELECTRONIC DEVICESAPPRAISEX-RAY ANALYSIS
  • 服务由 质检出版社 提供

    GB/T 25188-2010 - 中外标准 - - 2010/9 - 现行
    本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法,即X射线光电子能谱法(XPS)。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常,本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。
    半导体晶体表面性质氧化物厚度测量X射线分析硅无机化合物SEMICONDUCTORSSILICONSILICONECRYSTALSSURFACE PROPERTIESSURFACEPROPERTIESEMOXIDATIVEOXIDESTHICKNESS MEASUREMENTX-RAY ANALYSISSILICON INORGANIC COMPOUNDS
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