第七届全国半导体化合物材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

该会议文集共收录论文176篇,主要包括:半导体材料的新发展,半导体量子光电子学的发展,半导体我子集成器;HEMT结构的霍尔迁移率分布;在Si上外延掺稀土的CaAs及其发光;注硅半绝缘砷化镓中的少子和多子陷阱;低含铬半绝缘HB-CaAs单晶;热历史对半绝缘砷化镓单晶的深能级缺陷的影响;改进的CZ法生长CaSb晶体等。(赵庚新 摘)

会议名称: 第七届全国半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议时间: 1992年8月1日
会议地点: 北戴河
主办单位: 中国电子学会半导体与集成技术学会
语 种: chi