用于如Mo‑99/Tc‑99M及包括I‑131的放射性碘同位素的医疗同位素的按需生产的技术

用于放射性同位素生产的系统利用辐照室中贫化的或天然存在的铀靶的快中子引起的裂变。快中子裂变可以通过如下来增强:使得碰到靶的中子经历散射或反射,以增大每一个中子引起U‑238中的裂变(n,f)反应的几率。U‑238可以被布置为夹在中子反射材料层之间的层,或被中子反射材料包围的棒。可能的放射性同位素包括Mo 99/Te 99m,I‑131,I‑132和I‑133。

专利类型: 发明专利
申请(专利)号: CN201610816651.7
申请日期: 2010年11月12日
公开(公告)日: 2017年8月18日
公开(公告)号: CN107068229A
主分类号: G21G1/08,G21G1/00,G,G21,G21G,G21G1
分类号: G21G1/08,G21G1/00,G,G21,G21G,G21G1
申请(专利权)人: 全球医疗同位素系统有限责任公司
发明(设计)人: 弗兰西斯·宇·海·特桑
主申请人地址: 美国内华达州
专利代理机构: 永新专利商标代理有限公司 72002
代理人: 柴丽敏,于辉
国别省市代码: 美国;US
主权项: 一种用于生产放射性同位素的方法,包括将NEU材料引入到辐照室中,所述辐照室具有一个或多个由中子反射材料形成的壁;用能量高于800keV的中子辐照所述NEU材料,以在所述NEU材料中引发快中子裂变反应,并生成裂变产物,其中:来自所述辐照的至少一些中子被所述一个或多个壁中的至少一个壁反射,从而增大这些中子在所述NEU材料中经过的路径长度;并且增大的所述路径长度增大了所述NEU材料中所述中子引起快中子裂变反应的几率;以及从所述NEU材料提取所述裂变产物。
法律状态: 公开,公开,公开,实质审查的生效,实质审查的生效,实质审查的生效