有机半导体材料蒽薄膜的生长
Thin Film Growth of Organic Semiconductor Anthracen
摘要 利用常规的真空蒸发技术,在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察,研究了蒸发沉积蒽膜时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式,并借助X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的结晶状态.结果显示:蒽膜生长时,蒽的临界核以Volmer-Weber模式生长,即蒽首先形成许多三维岛状的晶核,核长大增高为岛,然后在蒽离域大π键的作用下,相邻的两层蒽分子存在一定程度的交叠,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成均匀致密、具有良好晶体特性的多晶薄膜.
Author: LI Jian-feng LI Dong-cang OU Gu-ping ZHANG Fu-jia
作者单位: 兰州大学,物理与科学技术学院,甘肃,兰州,730000;兰州交通大学,数理与软件工程学院,甘肃,兰州,730007 兰州大学,物理与科学技术学院,甘肃,兰州,730000
刊 名 半导体光电 ISTICPKU
年,卷(期): 2008, 29(5)
分类号: TN304
机标分类号: TN3 O64
在线出版日期: 2008年12月29日
基金项目: 国家自然科学基金,甘肃省自然科学基金