GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真
CFD Simulation of Flow Patterns in GaN-MOCVD Reactor
摘要 采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.
作者: 刘奕 陈海昕 符松
作者单位: 清华大学工程力学系,北京,100084
刊 名 半导体学报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2004, 25(12)
分类号: O35
机标分类号: U66 TN8
在线出版日期: 2005年1月13日
基金项目: 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划)