几种单晶半导体材料在压痕下的变形与断裂行为比较
Comparison of indentation-induced deformation and fracture of several kinds of semiconductor single crystals
摘要 采用显微压痕方法研究了Si、Ge、GaAs和InP四种半导体单晶的变形与断裂行为.通过测量[100]取向单晶体面内的显微硬度,裂纹开裂的临界压痕尺寸以及断裂韧性,分析了这四种材料力学性能的面内各向异性行为.结果表明:在压痕载荷的作用下,Si和Ge的塑性变形以剪切断层为主,而GaAs和InP则通过滑移系的开动协调变形.[100]取向的Si、Ge、GaAs和InP四种单晶的面内显微硬度、弹性模量和断裂韧性表现出不同程度的各向异性.裂纹长度与压痕尺寸间的关系表明,与GaAs和InP相比,Si、Ge具有较小的临界压痕尺寸和拟合直线斜率,这一临界压痕尺寸和拟合直线斜率的变化规律分别与材料的硬度和断裂韧性的变化规律一致.
Author: YAO Zhigang ZHU Xiaofei ZHANG Guangping
作者单位: 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳,110016
刊 名 材料研究学报 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2009, 23(2)
分类号: TB321
机标分类号: TN3 TN2
在线出版日期: 2009年5月26日
基金项目: 中-澳科技合作特别基金,国家重点基础研究发展规划(973计划)