InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响
Strain Effect on Temperature Dependent Photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells
摘要 利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77~300 K温度范围内的发光特性.随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动.在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂.通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响.在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项△Eg.带隙能量计算结果与实验数据吻合较好.通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响.
Author: YE Zhi-cheng SHU Yong-chun CAO Xue GONG Liang YAO Jiang-hong PI Biao XING Xiao-dong XU Jing-jun
作者单位: 南开大学,泰达应用物理学院,弱光非线性教育部重点实验室,天津,300457
刊 名 发光学报 ISTICPKU
年,卷(期): 2011, 32(2)
分类号: O472.3
机标分类号: TN2 TG1
在线出版日期: 2011年6月21日
基金项目: 天津应用基础研究基金,国家"863"计划