InAs/GaSbⅡ类超晶格材料台面腐蚀
Mesa etching of type Ⅱ InAs/GaSb superlattice
摘要 研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包括甲基、氯基和氩气;湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液.腐蚀后的材料台阶高度是使用α台阶仪测量,表面形貌通过晶相显微镜和扫描电镜表征.经过对比研究认为,干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整,侧壁光滑,侧壁角度为约80度,台阶深度易控制,适合深台阶材料制作.湿法腐蚀中磷酸系腐蚀效果好,台面平整,下切小,表面无残留,适用于焦平面红外器件制作工艺.
Author: ZHANG Li-Xue SUN Wei-Guo LV Yan-Qiu ZHANG Xiang-Feng YAO Guan-Sheng ZHANG Xiao-Lei SI Jun-Jie
作者单位: 西北工业大学材料学院,陕西西安710072;红外探测器技术航空科技重点实验室,河南洛阳471009 红外探测器技术航空科技重点实验室,河南洛阳,471009
刊 名 红外与毫米波学报 ISTICEISCIPKU
年,卷(期): 2014, 33(5)
分类号: TN304.2+3
机标分类号: TN3 TN2
在线出版日期: 2014年11月25日
基金项目: 国家自然科学基金,National Natural Science Foundation of China