半导体材料微体缺陷激光扫描分析技术
Theoretic and experimental study on micro bulk defects in semiconducting materials by laser scanning analysis technology
摘要 半导体材料内部的一致性是实现微器件功能的重要保证.为实现半导体材料微体缺陷的无损、高效、和准确检测,在研究广义Lorenz-Mie理论的基础上,通过将散射光分布分析引入到检测当中,提出了对近红外激光散射信号探测和缺陷大小特征的判据,来检测半导体材料缺陷的方法.介绍了检测的基本原理和理论模型,以及基于这一构想的全自动检测系统的实现方法,并提出了微缺陷检测的判据.对一组GaAs样品进行了实验研究,证明了该方法的可行性.
作者单位: 清华大学精密仪器及机械学系
年,卷(期): 2001, 41(11)
分类号: TN249 TB303
机标分类号: TN3 TN2
在线出版日期: 2004年1月8日