介孔复合半导体NiO-TiO2的制备与光响应性能
Preparation and Photo Absorption Property of Coupled Semiconductor NiO-TiO2
摘要 采用模板剂法制备了系列NiO-TiO2复合半导体,用N2吸附-脱附、XRD、TPR、TEM和UV-Vis DRS等方法对半导体材料的孔结构、表面构造、能带结构与其吸光特性进行了分析.结果表明:所制备的NiO-TiO2为介孔结构的纳米管或带,其比表面积超过100m2/g;NiO在TiO2表面分散均匀,并部分形成NiTiO3固熔体;NiO与TiO2间存在明显的复合效应,当NiO含量由2%增加至10%时,其Eg值由3.82eV降至3.49eV,有效地拓展了光响应范围.
Author: WANG Xi-Tao HE Zhong ZHONG Shun-He
作者单位: 天津大学,化工学院,天津,300072
刊 名 无机材料学报 ISTICEISCIPKU
年,卷(期): 2009, 24(2)
分类号: O643
机标分类号: O64 O63
在线出版日期: 2009年4月28日
基金项目: 国家自然科学基金,国家重大基础理论研究前期专项项目