化合物半导体材料的激光消融微区质谱特性的实验研究
Laser Ablation Mass Spectroscopy Analysis of Compound Semiconductor Materials
摘要 采用一台Q开关Nd:YAG脉冲激光器的四倍频输出(266 nm)作为消融激光,用反射型飞行时间质谱仪分析探测由激光与靶相互作用产生的离子,从得到的质量谱研究激光与半导体材料的相互作用.报告了这种相互作用的阈值特性、离子产额、质量分辨率等与激光通量密度的关系,给出了典型AlGaAs和InP材料的激光消融微区质谱.InP的离子质谱表明非金属元素磷的二聚物离子P2的离子峰总是占优势的.
作者: 彭慰先 蒋占魁
Author: Peng Weixian Jiang Zhankui
作者单位: 吉林大学物理系,长春,130023
刊 名 中国激光 ISTICEIPKU
年,卷(期): 2000, 27(5)
分类号: TN2
机标分类号: TN3 O6
在线出版日期: 2008年8月4日
基金项目: 中国科学院资助项目